本发明涉及一种低色散单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层半径R1为3～5μm，芯层相对折射率差Δ1为0.15％～0.45％；所述的包层由内到外依次为第一下陷包层、凸起包层、第二下陷包层和外包层，所述的第一下陷包层单边宽度(R2‑R1)为2～7μm，相对折射率差Δ2为‑0.4％～‑0.03％，所述的凸起包层单边宽度(R3‑R2)为2～7μm，相对折射率差Δ3为0.05％～0.20％，所述的第二下陷包层单边宽度(R4‑R3)为0～8μm，相对折射率差Δ4为0％～‑0.2％，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明芯包层设计合理、工艺控制方便、兼容现有G.652光纤，并能够在1270～1380nm波段具有低色散。