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专利名称硒化银/硒硫化银核壳量子点、电光调制器及制备方法
申请日2019-11-06
申请号/专利号CN201911077618.7
专利权人上海南麟电子股份有限公司
申请人上海南麟电子股份有限公司
发明人/设计人刘桂芝;周尧;蒋小强;何云;吴国平
公告日2020-02-21
公告号CN110819349A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明提供一种硒化银/硒硫化银核壳量子点、电光调制器及制备方法,以十八烯‑硒作为硒前驱体,制备硒化银量子点,且在硒化银量子点表面包覆硒硫化银合金壳,以钝化硒化银量子点的表面,减少硒化银量子点的表面缺陷,构建平缓的界面势垒,抑制硒化银量子点的俄歇复合,消除随机方向的局域电场,且硒化银/硒硫化银核壳量子点毒性可忽略,安全可靠;采用全氢聚硅氮烷,在大气氛围及室温下,转化为硒化银/硒硫化银核壳量子点的二氧化硅封装层,可制备工作波长在近红外第二窗口随量子点尺寸连续可调、调制深度大、性能稳定、寿命长、结构简单且环境友好的电光调制器。
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