本发明公开了一种小型化宽带晶体滤波器的加工方法，包括制造一个掩膜版，掩膜版的形状为晶片上两电极区域的形状，先将晶片的两面分别进行镀膜，形成沉积金属，作为全电极，然后再将掩膜版分别覆盖在晶片的两面，在晶片的两面分别进行离子刻蚀，刻蚀掉晶片两面掩膜版遮住的电极区域以外的金属部分，最终形成电极。本发明通过先整体镀电极，再采用离子刻蚀的方法分割电极的方法，能制作出高精度的微细电极形状及电极间距，从而实现较宽的带宽的晶体滤波器，且本方法工艺简单、成本低、效率高、可实现批量生产。