本实用新型公开了一种砷化镓微波集成电路脉冲调制电路，涉及脉冲调制电路技术领域，本实用新型包括MOSFET驱动器、与MOSFET驱动器的输入端连接的调制脉冲以及MOSFET管，所述MOSFET驱动器输出端内部设置有非电路，非电路的输出端直接与MOSFET管的栅极连接，并且还连接有上拉电阻R2，上拉电阻R2的另一端与MOSFET管的源极均连接有电源电压VDD，MOSFET管的漏极与功率放大模块连接，本实用新型的MOSFET管直接与MOSFET驱动器输出端内部的非电路连接，并且MOSFET管的栅极连接有上拉电阻R2，能够使MOSFET管的栅源电压VGS随着调制脉冲的变化而快速改变，从而确保MOSFET管的导通和截止状态的快速转换，有效提高发射射频信号的关断比，提高功率放大模块的工作速度，确保功率放大模块的工作效率。