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专利名称具有交叉耦合构造的集成电路
申请日2018-10-30
申请号/专利号CN201811276469.2
专利权人三星电子株式会社
申请人三星电子株式会社
发明人/设计人都桢湖;李达熙;林辰永;宋泰中;郑钟勋
公告日2019-07-02
公告号CN109962066A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

提供了一种集成电路。所述集成电路可包括第一有源区和第二有源区,第一有源区和第二有源区可彼此平行地沿第一水平方向在基底上延伸并且具有彼此不同的导电类型。第一栅极线可在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸,并且可与第一有源区形成第一晶体管。第一晶体管可包括施加有第一输入信号的栅极。第一栅极线可包括在垂直方向上与第一有源区叠置的并且具有位于第一有源区与第二有源区之间的区域上的端部的第一部分栅极线。
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