抗核加固D锁存器，属于集成电路可靠性中的抗核加固领域。解决了现有抗辐照D锁存器需要较多硬件、功耗高、延迟时间长以及无法对已翻转的双节点进行容错的问题。本发明包括两个反相器I1、I2，28个NMOS晶体管N1至N28，以及12个PMOS晶体管P1至P12，所用器件少，体积小，结构简单，由于所用器件少，从而降低整个锁存器的功耗及拥有较低的硬件开销。锁存器输入端的信号只通过一个传输门就可以传输到输出端口，数据传输时间短，还能够实现对任意单节点和双节点翻转的容错，从而实现抗单节点和双节点翻转的容错保护。本发明可以为高辐射环境(如航天航空以及地面核电站等)中集成电路芯片的应用提供保护。