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专利名称一种可编程电容阵列电路
申请日2019-10-29
申请号/专利号CN201911038925.4
专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人/设计人戴若凡
公告日2020-02-18
公告号CN110808727A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种可编程电容阵列电路,包括:电容阵列,包括s条较低权重的电容支路以及n‑s条较高权重的电容支路,该s条较低权重的电容支路采用两级电容阵列反向串联结构,用于给单刀多掷开关的每个射频开关支路提供不同的电容并组合得到更多不同容值;单刀多掷开关,包括多个射频开关支路,用于在控制逻辑模块的控制下将所述电容阵列的各电容支路选择性地连接在射频输入口和射频输出口间以提供射频通路;控制逻辑模块,在系统控制信号的控制下产生接通和断开单刀多掷开关各射频开关支路所需的偏置正压和偏置负压,本发明通过优化电容阵列拓扑结构及射频开关层叠级数,改善了电容阵列与射频开关功率分布,可减小谐波非线性,改善品质因数。
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