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专利名称一种适用于双辉等离子处理的新型源极结构
申请日2015-06-15
申请号/专利号CN201520413125.7
专利权人南京航空航天大学
申请人南京航空航天大学
发明人/设计人陈小虎;朱雨微;张平则;魏东博;魏祥飞
公告日2015-11-11
公告号CN204760350U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类

摘要

本实用新型提供一种适用于双辉等离子处理的新型源极结构,由6~36块金属靶材和固定金属靶材的圆筒组成,金属靶材均匀插入在圆筒上半部开设的孔中,金属靶材包括插入到孔中的插入部以及位于插入部上方的且位于孔外侧的凸台部,插入部的尺寸与孔尺寸配合良好,凸台尺寸大于孔的尺寸。孔等距离分布在圆筒上半部分上,且相邻的两个孔的间距为10~20mm。该新型源极结构与平面源极结构不同,不仅能够适用于平面结构的试样处理,也适合旋转结构和多面结构的工件的处理,而且增加的垂直的金属靶材,每个金属靶材之间能够产生空心阴极等离子放电,从而可以满足在相同的条件下,获得比传统结构源极更高的等离子体浓度,适用于多种形状和结构试样的处理。
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