本发明涉及压阻式加速度传感器，具体是一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法。本发明解决了现有压阻式加速度传感器在高温环境下使用时稳定性和可靠性差的问题。一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤a：准备正方形SiC基底；步骤b：对正方形SiC基底进行减薄；步骤c：在正方形SiC基底的背面刻蚀形成口字形凹腔和正方形质量块；步骤d：将正方形n型外延层刻蚀成为四个长方形压敏电阻条；步骤e：沉积氧化层；步骤f：溅射正方形金属层；步骤g：在氧化层的正面和口字形凹腔的底面之间刻蚀形成四个正方形通孔。本发明适用于军事国防、航空航天等领域。