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专利名称基于碳纳米管阵列高导热的导热吸波绝缘片的制备方法
申请日2019-11-28
申请号/专利号CN201911197337.5
专利权人深圳市飞鸿达科技有限公司
申请人深圳市飞鸿达科技有限公司
发明人/设计人王政华;李新华
公告日2020-03-06
公告号CN110862566A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类机械制造

摘要

本发明公开一种基于碳纳米管阵列高导热的导热吸波绝缘片的制备方法,包括碳纳米管阵列的制备、成型、及剥离。本发明的导热片是一种基于碳纳米管阵列为导热基的,此类薄膜导热片材料不仅可以应用到电子元件,还可以应用在PCB电路板、信息通信电子产品等各种领域,尤其是针对集成化程度高、空间不足的电子产品、光学模块、光纤通信等具体场景。本发明导热材料具有导热率高,制备简单,工艺流程少的特点;结构简单,便于大规模生产,可以提高生产效率,产能高,降低成本;产品具有优异的适应性和柔性,滑动性和弹性都非常优异,良好的机械性能,适应性强。
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