本发明公开了一种Ag、Ti共掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将清洗吹干的基材装夹在载物台上，正对离子束源；（2）Ar+离子束轰击基材，清洗和活化基材；（3）通入包含碳源气体和氩气的混合气体，采用Ag/Ti合金靶，固定或者旋转载物台在基材上制备Ag、Ti共掺杂的DLC薄膜。本发明制备出的Ag、Ti共掺杂DLC薄膜，降低DLC薄膜的内应力，提高膜基结合力、薄膜韧性从而改善DLC薄膜的摩擦学及抗腐蚀性能。同时这种方法可以方便的调节Ag、Ti的掺杂量，提高生产效率。