本发明涉及半导体器件及其制作方法、电子加密装置，所述半导体器件包括半导体衬底及在所述半导体衬底上形成的多个存储位单元以及用于选通某一个存储位单元的选择栅，其中至少一个存储位单元包括浮栅、形成于所述浮栅和半导体衬底之间的隧穿氧化层、形成于所述浮栅表面的极间介质层以及形成于所述极间介质层上的相互隔离的第一控制栅和第二控制栅，从而对于被选择栅选通的存储位单元，其数据存储或读取的过程受第一控制栅和第二控制栅的影响，也会受到第一控制栅和第二控制栅的影响，从而有利于实现加密保护，本发明另外提供了上述半导体器件的制作方法和包括上述半导体器件的电子加密装置。