本发明提供了一种用于集成电路输入输出引脚过压保护的薄膜材料和使用方法，该薄膜材料由氮、硅、锗、砷、硒五种元素组成的化合物，可预先制成合金靶，通过离子气相沉积制备而成，厚度可以在10nm至10um之间。各元素原子比为：硅占比60％至90％之间，硒占比35％至5％之间，剩余比例为其它三种元素共有。所述使用方法是以过压保护带或过压保护环的形式将该材料薄膜制作在集成电路引脚区域，以实现对所有引脚防雷击、防静电冲击等的低成本强抑制器件设计方案。本发明利用该化合物材料所特用的阈值导通特性实现过压保护，概念新颖，结构简单，是一种过压保护响应速度极快，抑制过压能力极强的过压保护材料和器件。