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专利名称MEMS与IC装置的单块整合
申请日2018-10-19
申请号/专利号CN201811223242.1
专利权人新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请人新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
发明人/设计人H·坎帕内拉皮内达;A·K·史塔佩尔;钱优;S·波伊卡伊尔萨特厄希;J·C·马灵;拉盖·库马
公告日2019-05-03
公告号CN109712959A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本申请涉及MEMS与IC装置的单块整合,揭示一种具有微机电系统(MEMS)与集成电路(IC)的整合型单块装置及其形成方法。该单块装置包括在该IC上方形成有IC组件及MEMS的衬底。该衬底上方形成在接垫阶中具有IC互连垫的后段(BEOL)介电质。具有所述IC互连垫的该BEOL介电质上方形成MEMS。该MEMS包括MEMS堆栈,该MEMS堆栈具有主动MEMS层、及在该主动MEMS层的顶端与底端表面上形成的图案化顶端与底端MEMS电极。形成至少部分地穿过该主动MEMS层的ICMEMS接触贯孔。ICMEMS接触形成于该主动MEMS层中的所述ICMEMS接触贯孔中,并且组配成耦接至所述IC互连垫。
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