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专利名称三相位单轨预充电逻辑装置
申请日2018-10-19
申请号/专利号CN201811219004.3
专利权人天津大学
申请人天津大学
发明人/设计人赵毅强;蔡里昂;叶茂;马浩诚;辛睿山
公告日2019-03-15
公告号CN109474415A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明涉及信息安全领域、抗功耗攻击领域,为防止攻击者通过放慢时钟获得放电阶段的功耗差异,从而使得防护失效。同时该种逻辑单元可以使得单元的功耗在每个求值周期内都是相同的,消除不同输入信号下的功耗差异,使得攻击者不能通过DPA攻击获取密钥。为此,本发明采取的技术方案是,三相位单轨预充电逻辑装置,包括PMOS晶体管P1,NMOS晶体管N1,NMOS晶体管N2,NMOS晶体管N3,NMOS晶体管N4以及起到电荷存储作用的NMOS晶体管C1。本发明主要应用于集成电路设计制造场合。
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