本发明公开了一种存储器及其制造方法，存储器的制造方法包含：提供一衬底，衬底包括外围区和器件区，器件区上形成有栅极叠层，外围区和器件区上形成有第一控制栅薄膜，第一控制栅薄膜覆盖栅极叠层；在第一控制栅薄膜上形成刻蚀停止层；去除器件区上的刻蚀停止层；在外围区和器件区上形成第二控制栅薄膜；刻蚀器件区上的栅极叠层、第一和第二控制栅薄膜，以形成依次堆叠在器件区上的浮置栅极、栅间介电层和控制栅；去除位于外围区上的第二控制栅薄膜和刻蚀停止层；以及，刻蚀第一控制栅薄膜，以在外围区上形成选择栅，选择栅的高度小于控制栅的高度。本发明可提高选择栅的栅控能力，并确保器件的存储能力和可靠性。