本发明涉及了一种金属氧化物光晶体管及其制备方法。该金属氧化物光晶体管采用底栅垂直结构，器件从下往上依次是带有一定厚度二氧化硅氧化层的高掺杂硅片、网状源极和源极接触电极、金属氧化物半导体薄膜以及漏电极。垂直结构金属氧化物光晶体管中的半导体层、源极接触电极和漏极均采用喷墨打印或磁控溅射技术制备。本发明提供的垂直结构金属氧化物光晶体管可实现直接图案化、器件均一性好，可突破传统工艺对尺寸的限制，并实现大的电流密度和出色的光响应R和外量子效率EQE。该垂直结构的金属氧化物光晶体管有望广泛用于光传感器、人工突触及大规模集成电路等领域。