本发明提供了一种缓变结、高压器件和半导体器件及其制造方法，所述缓变结的制造方法包括：在一具有掺杂区的衬底上形成具有用于向所述掺杂区进行离子注入的开口的图案化掩膜层，采用与所述掺杂区具有的第一导电类型相反的第二导电类型离子对所述掺杂区进行离子注入；多次调整所述开口的宽度，且每次调整所述开口的宽度后，采用所述第二导电类型离子向所述掺杂区进行离子注入，以在所述掺杂区中形成缓变结。本发明的技术方案在较低的工艺温度下制造缓变结，且通过控制离子注入的能量和剂量控制所述缓变结的结深和离子掺杂的浓度，以提高器件的击穿电压，进而获得高压器件，且不会降低低压器件的性能，实现高压器件与低压器件的有效集成。