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专利名称具有高迁移率的集成电路元件以及形成集成电路元件的系统
申请日2018-10-25
申请号/专利号CN201811248613.1
专利权人台湾积体电路制造股份有限公司
申请人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人/设计人萧锦涛;方上维;曾健庭;杨超源
公告日2019-06-04
公告号CN109841621A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明实施例涉及具有高迁移率的集成电路元件以及形成集成电路元件的系统。一种集成电路元件包含:第一鳍片结构,其在第一方向上放置在衬底上;第二鳍片结构,其放置在所述衬底上且在所述第一方向上对准;第三鳍片结构,其放置在所述衬底上且在所述第一方向上对准;第四鳍片结构,其放置在所述衬底上且在所述第一方向上对准;及第一导电线,其在第二方向上对准,其经布置以分别包围所述第一鳍片结构、所述第二鳍片结构、所述第三鳍片结构及所述第四鳍片结构的第一部分、第二部分、第三部分及第四部分。所述第一鳍片结构与所述第二鳍片结构之间的第一距离不同于所述第三鳍片结构与所述第四鳍片结构之间的第二距离。
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