本实用新型涉及集成电路领域，提供了一种具有电容器的存储器件，所述存储器件包括在基底上形成的多个电容接触以及第一支撑层，所述多个电容接触与所述多个电容接触区一一对应电连接，所述第一支撑层覆盖所述多个电容接触区之间的所述基底的顶表面，每个电容接触包括在基底上依次叠加的第一电容接触和第二电容接触，第一支撑层的顶表面高于第一电容接触的顶表面且低于第二电容接触的顶表面。在基底上对应于电容接触区形成设置电容器的电容孔时，即使在未能蚀刻完全第一支撑层的情形下，由于第二电容接触凸出于第一支撑层，电容器的下电极层也易与第二电容接触形成良好的电接触，有利于提高存储器件的良率。