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专利名称一种碳化硅晶体电阻法生长用电源及其方法
申请日2018-11-26
申请号/专利号CN201811419792.0
专利权人国宏中宇科技发展有限公司
申请人国宏中晶集团有限公司
发明人/设计人张岩;付吉国;董伟;赵然;周卫东;曾蕾
公告日2019-02-22
公告号CN109371466A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

一种碳化硅晶体电阻法生长用电源,包括外壳、生长仓和传动仓,外壳内设有生长仓和传动仓,生长仓内壁固定隔热层,隔热层内壁等距安装钨加热环,所述外壳外侧安装有若干电源控制器,且电源控制器与钨加热环分别对应电路连接,电源控制器集成电路连接有FPGA,且FPGA连接计算机,此电源通过计算机的控制系统与FPGA的使用对电源控制器编程,可单独的控制每个钨加热环的温度,便于调节,节约电能,温度控制稳定,质量精度高。
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