本申请案涉及用于集成电路上的薄膜电阻器的等离子体处理。一种制作包含薄膜电阻器TFR的IC(200)的方法在包含半导体表面的衬底(210)上沉积电介质衬里层，所述半导体表面具有形成于其中的多个IC裸片，每一IC裸片包含包括多个互连晶体管的功能电路(212b)。在所述电介质衬里层上沉积包括铬(Cr)的TFR层。用原子氮及原子氢对所述TFR层进行等离子体处理。在所述等离子体处理之后，在所述TFR层上沉积电介质帽盖层。在所述帽盖层上形成图案，且蚀刻所述TFR层以形成包括所述TFR层的至少一个电阻器。