便携式应急电源
镀铜焊丝的缺陷检测方法、装置、设...
电码的自动识别方法及存储介质
基于强化学习的楼栋摆放方法、装置...
用于观测水下生物的系统及其方法
一种电子设备的空中固件差分升级方...
一种印刷模切张力自动控制系统及其...
低功耗状态监控设备
一种利用RTP扩展头部解决视频帧...
一种高衍射效率相位型空间光调制器...
一种家装板材运输用包装机器人
航空发动机精密管路及其航空发动机...
宽光谱吸收的薄膜太阳能电池及光伏...
一种基于磁通压缩的脉冲磁体装置及...
一种总线访问仲裁装置及方法
一种处理网络抖动的方法及装置
基于光芯片的数据处理方法、装置、...
一种基于小基线条件下的大畸变广角...
一种自动识别设备间网络拓扑结构的...
基于光芯片的数据处理方法、装置、...
企业介绍页面,左右侧内容分别复制到相应容器即可,起始结束位置代码已作标注
专利名称低电磁干扰功率器件终端结构的制造工艺
申请日2020-01-07
申请号/专利号CN202010013863.8
专利权人四川立泰电子有限公司
申请人四川立泰电子有限公司
发明人/设计人蔡少峰;任敏;高巍;李科;陈凤甫;邓波;贺勇;蒲俊德
公告日2020-02-28
公告号CN110854072A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明提供了一种低电磁干扰功率器件终端结构的制造工艺,所述工艺制得的终端结构包括:从下至上依次层叠设置的金属化漏极、第一导电类型半导体衬底和第一导电类型半导体外延层,以及第二导电类型半导体主结、第二导电类型半导体等位环、第一导电类型截止环、第二导电类型半导体场限环、第一介质层、第二介质层、第三介质层、导电场板、电阻和金属化源极。本发明能够在场限环和场板之间引入HK介质层,由半导体场限环、HK介质层和场板构成MIS电容结构,并与相邻的多晶硅电阻串联,从而在源极和漏极高电位之间形成了RC吸收网络,能够有效抑制功率器件在快速开关中产生的dv/dt和di/dt,缓解EMI噪声。
  关于我们  | 帮助中心  |  服务清单  |  发展历程 |  网站地图  |  手机访问

Copyrights 2016-2020  

南京锐阳信息科技有限公司 版权所有

苏ICP备17027521号-1

地址: 南京市秦淮区永智路5号五号楼3层