功能用途
用于电机驱动和发电控制的功率器件
主要指标
一、研究内容： （1）芯片关键技术研究； （2）模块封装关键技术研究； （3）模块特性测试与试验验证技术。 二、技术指标： （1）1400A/1700V IGBT半桥器件主要指标 芯片采用国产芯片封装；额定电压：1700V；额定电流：1400A；IGBT结温：Tvj≥175℃； （2）450A/1700V IGBT全桥器件 芯片采用国产芯片封装；额定电压：1700V；额定电流：450A；IGBT结温：Tvj≥175℃； （3）450A/1200V SiC MOSFET半桥器件 芯片采用国产芯片封装；额定电压：1200V；额定电流：450A；SiC MOSFET结温：Tvj≥200℃； （4）200A/1700V SiC MOSFET半桥器件 芯片采用国产芯片封装；额定电压：1700V；额定电流：200A；SiC MOSFET结温：Tvj≥200℃； 三、择优方式：实物比测

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